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A novel CMOS SOI unbalanced Mach-Zehnder interferometer: from design and simulations to fabrication and characterization

Luc Thévenaz, Mihai Adrian Ionescu, Philippe Renaud, Michel Declercq, Philippe Robert, Cyrille Hibert, Georges-André Racine, Philippe Flückiger

This paper reports on a novel, simple yet reliable, unbalanced SOI Mach-Zehnder (M-Z) interferometer architecture based on 1.2 μm CMOS process and adapted post-processing for the waveguide sidewalls. The fabricated electro-optical device is based on multip ...

2001

Polyimide sacrificial layer for SOI SG-MOSFET pressure sensor

Mihai Adrian Ionescu, Didier Bouvet, Montserrat Fernandez-Bolanos Badia, Vincent Pott, Georges-André Racine, Nicolas Abelé

This paper reports on the fabrication and electrical characterization of a novel pressure sensor based on a suspended-gate MOSFET (SG-MOSFET) using a new polyimide process. The device is composed of a SG-MOSFET built on a thin SOI membrane released by a ba ...

Elsevier2006

3-D integrable optoelectronic devices for telecommunications ICs

Luc Thévenaz, Mihai Adrian Ionescu, Philippe Renaud, Philippe Robert, Michel Declercq, Cyrille Hibert, Georges-André Racine, Philippe Flückiger

The design, fabrication and characterization of CMOS-compatible optoelectronic devices is discussed. All devices are fabricated on silicon on insulator (SOI) substrates which makes them suitable for three-dimensional (3-D) telecommunication photonic integr ...

2002