Publication

The suspended-gate MOSFET (SG-MOSFET): A modeling outlook for the design of RF MEMS switches and tunable capacitors

Mihai Adrian Ionescu, Philippe Renaud, Cyrille Hibert, Philippe Flückiger, Georges-André Racine
2001
Conference Papers

Résumé

This paper reports on the modeling and key design aspects of an innovative MEMS device: the suspended-gate MOSFET (SG-MOSFET). Based on the coupled-electromechanical equations describing the suspended gate actuation, we present the investigation of the pull-in voltages and of the capacitance switching and tuning ranges for RF applications. A quasi-analytical model and is developed for the gate-to-substrate capacitance of the SG-MOSFET and then, validated by numerical simulation. A SPICE macro-model using polynomial voltage-controlled source is validates for the DC simulation of the SG-MOSFET. Guidance lines for the low-voltage design of a SGMOSFET RF switch are detailed.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/94eb1dfe-4ef5-4ae2-be9d-15ecc9b0d40e

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Design

vignette|Chaise de Charles Rennie Mackintosh, 1897. Le design, le stylisme ou la stylique est une activité de création souvent à vocation industrielle ou commerciale, pouvant s’orienter vers les milieux sociaux, politiques, scientifiques et environnementaux. Le but premier du design est d’inventer, d’améliorer ou de faciliter l’usage ou le processus d’un élément ayant à interagir avec un produit ou un service matériel ou virtuel.

Capacitor types

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