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Cette séance de cours couvre la formation de plasmas industriels, en se concentrant sur le développement de la gaine et les processus de gravure au plasma. Les sujets abordés comprennent le passage de la décharge de Townsend à la lueur plasmatique, la distribution de Maxwell-Boltzmann, le flux ionique, le potentiel de gaine et les profils de densité. L'instructeur explique l'importance de l'utilisation de la climatisation pour le traitement continu du plasma, les bases du plasma radiofréquence et les réacteurs à couplage capacitif RF de grande surface. En outre, la séance de cours se penche sur le dépôt de vapeur chimique améliorée par plasma (PECVD) de silicium à couche mince, la décharge par barrière diélectrique (DBD) pour la production d'ozone et le processus de production d'ozone par la chimie du plasma. La session se termine par un résumé du plasma avec des électrodes isolantes, mettant l'accent sur le plasma à couplage capacitif RF et la décharge de barrière diélectrique pour la génération d'ozone.