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Séance de cours

Analyse MOSFET : petit modèle de signal

Dans cours

EE-203: Electronics II

Ce cours introduit les composants à semiconducteurs électroniques de base : diodes à jonction PN, transistors bipolaires et MOS. Leurs modes de fonctionnement en DC et AC sont étudiés. Les circuits élémentaires à base de transistors bipolaires sont prése ...

Description

Cette séance de cours couvre l'analyse de la transconductance MOSFET et de la conductance de sortie, en se concentrant sur le petit modèle de signal. Il explique la relation entre le courant de drain et les tensions alternatives Vgs et Vds, ainsi que la transconductance gm et la conductance de sortie gds. La séance de cours traite également de l'impact des différentes tensions sur la région de saturation et de l'importance de la résistance d'accès dans les circuits MOSFET.

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Enseignant·e·s (3)

Stéphanie Lacour

Stéphanie P. Lacour holds the Bertarelli Foundation Chair in Neuroprosthetic Technology in the School of Engineering at EPFL and leads the Laboratory for Soft Bioelectronic Interfaces. She received her PhD in Electrical Engineering from INSA de Lyon, France, and completed postdoctoral research at Princeton University and the University of Cambridge. She is the recipient of the 2006 MIT TR35, a University Research Fellowship of the Royal Society, European Research Council ERC Starting and POC Grants, and a SNSF-ERC Consolidator Grant. She was elected a 2015 Young Global Leader by the World Economic Forum.

Adil Koukab

Cédric Meinen

Source officielle

Concepts associés (21)

Junction Field Effect Transistor

Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. Le JFET est né le lorsque William Shockley dévoile que son équipe du laboratoire Bell a mis au point un tout nouveau transistor à jonction.

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

Small-signal model

Small-signal modeling is a common analysis technique in electronics engineering used to approximate the behavior of electronic circuits containing nonlinear devices with linear equations. It is applicable to electronic circuits in which the AC signals (i.e., the time-varying currents and voltages in the circuit) are small relative to the DC bias currents and voltages. A small-signal model is an AC equivalent circuit in which the nonlinear circuit elements are replaced by linear elements whose values are given by the first-order (linear) approximation of their characteristic curve near the bias point.

Zone de déplétion

En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres).

Transistor model

Transistors are simple devices with complicated behavior. In order to ensure the reliable operation of circuits employing transistors, it is necessary to scientifically model the physical phenomena observed in their operation using transistor models. There exists a variety of different models that range in complexity and in purpose. Transistor models divide into two major groups: models for device design and models for circuit design. The modern transistor has an internal structure that exploits complex physical mechanisms.

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Opération de transistor MOS: Triode vs Saturation

Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.

Modèle MOS pour les petits signaux: Simplifier l'analyse des circuits analogiques

Simplifie l'analyse de l'appareil MOS avec le modèle à petit signal, y compris l'effet corporel.

Examen de la BJT et du MOS

Fournit un examen détaillé des dispositifs Bipolar Junction Transistor (BJT) et Metal-Oxide-Semiconductor (MOS).

MOS Parasitiques

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