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Cette séance de cours porte sur le fonctionnement des transistors MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la relation entre VGS, VTH et VDS. Il explique le concept de transconductance (gm) en saturation et l'impact de la modulation canal-longueur. Les diapositives fournissent des informations détaillées sur la disposition des transistors MOS et les effets de la longueur des canaux sur les performances des transistors.