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Séance de cours

Modèle MOS pour les petits signaux: Simplifier l'analyse des circuits analogiques

Dans cours

EE-320: Analog IC design

Introduction to the design of analog CMOS integrated circuits at the transistor level. Understanding and design of basic structures. ...

Description

Cette séance de cours couvre le modèle à petit signal des dispositifs MOS, en mettant l'accent sur la simplification des calculs autour du point d'exploitation. Il explique comment ce modèle peut être dérivé pour les MOSFET biaisés dans la région de saturation, y compris la résistance linéaire et les capacités impliquées. La séance de cours discute également du modèle à petit signal avec effet corporel, mettant en évidence l'impact des différentes tensions sur le comportement des dispositifs MOS.

Enseignant·e

Mahsa Shoaran

Source officielle

Proximité ontologique

Physique

Physique de la matière condensée: Physique du solide

Concepts associés (25)

Threshold voltage

The threshold voltage, commonly abbreviated as Vth or VGS(th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (VGS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals. It is an important scaling factor to maintain power efficiency. When referring to a junction field-effect transistor (JFET), the threshold voltage is often called pinch-off voltage instead.

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

Small-signal model

Small-signal modeling is a common analysis technique in electronics engineering used to approximate the behavior of electronic circuits containing nonlinear devices with linear equations. It is applicable to electronic circuits in which the AC signals (i.e., the time-varying currents and voltages in the circuit) are small relative to the DC bias currents and voltages. A small-signal model is an AC equivalent circuit in which the nonlinear circuit elements are replaced by linear elements whose values are given by the first-order (linear) approximation of their characteristic curve near the bias point.

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

Composant semi-conducteur

vignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.

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Séances de cours associées (58)

Examen de la BJT et du MOS

Fournit un examen détaillé des dispositifs Bipolar Junction Transistor (BJT) et Metal-Oxide-Semiconductor (MOS).

Modèle à petites signaux: capacités MOS

Couvre le modèle à petit signal des dispositifs MOS et l'amplification des signaux dans les circuits analogiques.

Effets du deuxième ordre : Effet corporel et modulation de la longueur du canal

Explore l'impact de la Modulation de l'effet corporel et de la longueur des canaux sur les performances de MOSFET.

Effets du deuxième ordre : Effet corporel et modulation de la longueur du canal

Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.

Opération de transistor MOS: Triode vs Saturation

Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.

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Threshold voltage

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Small-signal model

Transistor à effet de champ

Composant semi-conducteur

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