Publication

Conducting barrier electrodes for direct contact of PZT thin films on tungsten

Nava Setter, Paul Muralt
1998
Journal Articles

Résumé

Two W protection schemes for direct-contact bottom electrodes for PZT thin films, namely RuO2/Cr and RuO2/Ru, were compared with respect to protective performance and contact resistance up to 800 degrees C annealing temperature in oxygen. Cr clearly offers better protection for W than Ru-based schemes by forming a passivating Cr2O3 layer. No Cr is detected on the RuO2 surface, even after annealing at 800 degrees C, due to its entrapment by RuO2 by oxidoreduction. However, the formation of a continuous Cr2O3 film at the RuO2/Cr interface gives rise to an increased contact resistance above 650 degrees C. RuO2/Ru does not show any measurable contact resistance on W, but fails above 600 degrees C.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/cfa9d3b3-5432-40fa-aad3-44e6414436fc

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Nava Setter, Paul Muralt
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