Publication

Preparation, processing and tunneling in YBa2Cu3O7-δ-Pb native-barrier structures

Davor Pavuna
1993
Journal Articles

Résumé

The authors have developed a procedure for the preparation of small (40×40 μm2) window-type YBa2Cu3O7-δ-Pb junctions with YSZ insulator and native tunnel barrier. They present the patterning technique of the two electrodes based on photolithography and wet etching. The nature of the barrier is found to be semiconducting. The tunneling measurements show gap-like feature of YBa2Cu3O7-δ at 8.5 meV and some additional features related to Pb and YBa2Cu3O7-δ phonon spectra

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c270797b-1bc5-417a-86aa-7669048d5179

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Davor Pavuna
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Concepts associés (13)

Électrode

Une électrode est un conducteur électronique, ou ionique ( verre) captant ou libérant des électrons. Les électrodes interviennent dans les systèmes générateurs de courant (comme les piles ou les accumulateurs électriques) et dans les électrolyses, dont le système est récepteur de courant. On parle aussi d'électrodes pour désigner des composants de certains appareils électriques comme les lampes radio, tube à rayons X, diodes à semi-conducteur. C'est également le cas dans le soudage à l'arc électrique.

Électrode de référence

Une électrode de référence est une électrode qui maintient un potentiel pratiquement invariant dans les conditions prévalant dans une mesure électrochimique. Elle permet l'observation, la mesure ou le contrôle du potentiel de l'indicateur (ou de l'essai) ou de l'électrode de travail.On l'utilise en électrochimie pour étudier les propriétés d'oxydoréduction et en chimie analytique pour mesurer les concentrations d'espèces dissoutes dans une solution. Le potentiel de l'électrode de référence ne doit en aucun cas varier pendant la mesure.

Gravure ionique réactive

La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs. Il s'agit d'une technique similaire, dans la mise en œuvre, à une gravure au plasma de type pulvérisation cathodique (sputtering). Cependant, dans cette technique, le plasma réagit, non seulement physiquement, mais aussi chimiquement avec la surface d'un wafer, ce qui en retire une partie ou certaines des substances qui y ont été déposées.

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