Publication

Au/GaAs(100) interface Schottky barrier modification by a silicon nitride intralayer

Giorgio Margaritondo
1997
Journal Articles

Résumé

We report a modification by thin silicon nitride intralayers of the Au/n-GaAs)(100) Schottky barrier height. Thin intralayers were obtained by nitridation of evaporated Si films on decapped GaAs substrates in an argon-nitrogen mixture plasma. The nitridation was performed at a beam energy

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/5333477a-a830-445d-b3f1-106d48ac3c88

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