Publication

Island formation in ultra-thin InAs/InP quantum wells grown by chemical beam epitaxy

Jean-François Carlin, Alok Rudra, Marc Ilegems
1991
Journal Articles

Résumé

We have studied the effect of growth interruptions on 2-monolayers-thick InAs/InP strained quantum wells (QW) grown by chemical beam epitaxy. The main feature is the formation of up to 8-monolayers-thick InAs islands during As2 annealing of the QW. Their formation is characterized by a two to three dimensional transition of the reflection high-energy electron diffraction pattern and multiple-lines photoluminescence spectra. An increase of a short range roughness at the InP-InAs interface due to As2 annealing of InP is also observed.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/36a21c0e-bec6-4c93-99fe-a134334f2cd2

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