Publication

Microscopic-Scale Lateral Inhomogeneities of the Schottky-Barrier-Formation Process

Giorgio Margaritondo, Helmuth Berger
1993
Journal Articles

Résumé

The interpretation of photoemission-spectromicroscopy studies of Au on GaSe requires a revision of established ideas about this interface, which has long been considered a prototype of Schottky-like systems. We find that the interface-formation process involves strong substrate-overlayer interactions, the release of free Ga, and the formation of interface species, and leads to a barrier height in total disagreement with the Schottky model. Furthermore, the space-resolving capabilities of our instruments revealed lateral inhomogeneities of the local overlayer thickness and of the local band bending.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/2d24c9f1-15b7-4ae8-acc6-8f3bad6b1474

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Metal–semiconductor junction

In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact.

Band bending

In solid-state physics, band bending refers to the process in which the electronic band structure in a material curves up or down near a junction or interface. It does not involve any physical (spatial) bending. When the electrochemical potential of the free charge carriers around an interface of a semiconductor is dissimilar, charge carriers are transferred between the two materials until an equilibrium state is reached whereby the potential difference vanishes.

Contact ohmique

vignette|481x481px|Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm

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