Publication

Enabling proximity mask-aligner lithography with a 193nm CW light source

Toralf Scharf, Wilfried Noell, Raoul Kirner
2018
Conference Papers

Résumé

We introduce a novel industrial grade 193nm continuous-wave laser light source for proximity mask-aligner lithography. A diode seed laser in master-oscillator power-ampliﬁcation conﬁguraton is frequency-quadrupled using lithiumtriborate and potassium-ﬂuoro-beryllo-borate non-linear crystals. The large coherence-length of this monomodal laser is controlled by static and rotating shaped random diﬀusers. Beam shaping with imaging and non-imaging homogenizers realized with diﬀractive and refractive micro-optical elements is compared in simulation and measurement. We demonstrate resolution patterns oﬀering resolutions

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/116375a6-4421-4971-a694-2d8110b244b2

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Laser

thumb|250px|Lasers rouges (660 & ), verts (532 & ) et bleus (445 & ). thumb|250px|Rayon laser à travers un dispositif optique. thumb|250px|Démonstration de laser hélium-néon au laboratoire Kastler-Brossel à l'Université Pierre-et-Marie-Curie. Un laser (acronyme issu de l'anglais light amplification by stimulated emission of radiation qui signifie « amplification de la lumière par émission stimulée de radiation ») est un système photonique.

Lithographie extrême ultraviolet

vignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »).

Lithographie à faisceau d'électrons

L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies.

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