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Giovanni Antonio Salvatore

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Ferroelectric Field Effect Transistor for Memory and Switch Applications

Giovanni Antonio Salvatore

Silicon technology has advanced at exponential rates both in performances and productivity through the past four decades. However the limit of CMOS technology seems to be closer and closer and in the future we might see an increasing number of hybrid appro ...

EPFL2011

1T Memory Cell Based on PVDF-TrFE Field Effect Transistor

Mihai Adrian Ionescu, Nava Setter, Didier Bouvet, Igor Stolichnov, Sebastian Riester, Roman Gysel, Giovanni Antonio Salvatore

Interest in PVDF-TrFE copolymers as ferroelectric material for Memory application is driven by the prospect of having low cost, low operating voltage and fully organic device. Some previous studies reported FET designs using copolymers [refs 1,2] but none ...

2008

The Curie temperature as a key design parameter of ferroelectric Field Effect Transistors

Mihai Adrian Ionescu, Didier Bouvet, Livio Lattanzio, Giovanni Antonio Salvatore

Interest in Ferroelectric FETs originates from their potential as non-volatile memories and, more recently, as abrupt switches. In this work, we focus on the role of the Curie temperature of the gate stack on the performance of Fe-FETs. The proposed study ...

IEEE2010