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InGaN alloys and heterostructures : impact of localization effects on light-matter interaction in planar microcavities

Marlene Glauser

The III-nitride semiconductor material system - (InAlGa)N - is of highest interest for optoelectronic applications due to its direct bandgap, tunable from the ultraviolet to the infrared spectral range. The most well-known are white light-emitting diodes, ...

EPFL2014

Generic picture of the emission properties of III-nitride polariton laser diodes: Steady state and current modulation response

Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Jacques Levrat, Georg Rossbach, Marlene Glauser, Munise Nevin Cobet

The main emission characteristics of electrically driven polariton lasers based on planar GaN microcavities with embedded InGaN quantum wells are studied theoretically. The polariton emission dependence on pump current density is first modeled using a set ...

Amer Physical Soc2012

Q-factor of (In,Ga)N containing III-nitride microcavity grown by multiple deposition techniques

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Jacques Levrat, Gatien Cosendey, Georg Rossbach, Marlene Glauser

A 3 lambda/2 (In,Ga)N/GaN resonant cavity, designed for similar to 415nm operation, is grown by molecular beam epitaxy and is sandwiched between a 39.5-period (In,Al)N/GaN distributed Bragg reflector (DBR), grown on c-plane GaN-on-sapphire pseudo-substrate ...

Amer Inst Physics2013