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Cette séance de cours traite du développement de l'électronique nanofilaire reconfigurable, en se concentrant sur les défis de la technologie CMOS traditionnelle et le potentiel des FET Schottky. L’instructeur explique l’utilisation de nanofils de silicium intrinsèques pour créer des jonctions hétérosexuelles, contrôler l’injection de charge et atteindre des caractéristiques ambipolaires. En bloquant individuellement les jonctions Schottky, ils démontrent la capacité de basculer entre les caractéristiques N et P, conduisant à la création d'onduleurs complémentaires. La séance de cours aborde également des questions telles que la variabilité élevée, les faibles courants d'entraînement, les états dégradés et le comportement exponentiel, proposant des solutions grâce à des concepts de dispositifs innovants et à un contrôle électrostatique. Grâce à des simulations de transport et à la conception de circuits, le potentiel de construction de circuits complexes avec des performances améliorées est exploré.