Séance de cours

Analyse de la zone de contact et de la résistance de jonction

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Dans cours

ME-412: Experimental methods in engineering mechanics

This course gives an advanced treatment of experimental methods in the context of mechanics by way of example. Students will construct significant components of experimental apparatus, use their apparatus to collect data, interpret the resulting data, and ...

Description

Cette séance de cours présente les résultats des mesures physiques et des simulations LT-SPI menées par Maelle, Arnaud et Mengbo. Ils discutent des protocoles expérimentaux, y compris l'importance de polir les barres d'égout et de mesurer leur longueur pour calculer la résistance. La séance de cours couvre également les formules utilisées pour calculer les surfaces de contact et la résistance de jonction, ainsi que la configuration des simulations LT-SPI. La comparaison entre les mesures expérimentales et les simulations révèle l'impact de l'élimination des oxydes sur les résultats, soulignant la nécessité de mesures précises et d'autres expériences pour améliorer la précision.

Enseignant·e

John Martin Kolinski

Dr. Kolinski studied Applied Mathematics (Sc.M.) and Applied Physics (Ph.D.) at Harvard University, completing a PhD under the supervision of L. Mahadevan and Shmuel Rubinstein on the role of air in droplet impact. John did his post-doc at the Hebrew University of Jerusalem in Israel supported by the Fulbright post-doctoral fellowship. At HUJI, he worked on interfacial instabilities in soft matter in the labs of Eran Sharon and Jay Fineberg. John continues his research into interfacial mechanics at EPFL in EMSI, his newly founded laboratory for the study of Engineering Mechanics of Soft Interfaces.

Source officielle

Concepts associés (4)

Jonction p-n

vignette|230px|Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. vignette|230px|Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n.

Transistor bipolaire

vignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.

Contact ohmique

vignette|481x481px|Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm

Résistance négative

Une résistance négative est une propriété de certains circuits électriques ou matériaux pour lesquels, sur une certaine plage, le courant qui les traverse diminue quand la tension augmente . On donne aussi le nom de résistance négative à des montages convertisseurs d'impédance négative (NIC) construits à l'aide d'amplificateurs fonctionnant avec une rétroaction positive et qui se comportent comme des « résistances actives ». Le montage se comporte comme une résistance linéaire active c'est-à-dire un générateur dont la f.