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Non-linéarité de Cantilever : analyse expérimentale

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Description

Cette séance de cours traite de l'analyse expérimentale de la non-linéarité cantilever dans les dispositifs micro/nanomécaniques. Les sujets abordés comprennent la fabrication d'appareils, la détection de la non-linéarité adoucissante ou durcissante, les méthodes d'actionnement, l'importance de l'étalonnage et différents types de non-linéarité. L'instructeur explore également l'impact du rapport d'aspect sur la non-linéarité et les écarts entre la théorie et les résultats expérimentaux.

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Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs

thumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.

Semiconductor fabrication plant

In the microelectronics industry, a semiconductor fabrication plant (commonly called a fab; sometimes foundry) is a factory for semiconductor device fabrication. Fabs require many expensive devices to function. Estimates put the cost of building a new fab over one billion U.S. dollars with values as high as

3–4 billion not being uncommon. TSMC invested

9.3 billion in its Fab15 300 mm wafer manufacturing facility in Taiwan. The same company estimations suggest that their future fab might cost $20 billion.

Nanosystème électromécanique

Les NEMS pour Nano Electro-Mechanical Systems, en français : Systèmes ÉlectroMécaniques Nanométriques ; on parle aussi de nanosystèmes. Ce sont des dispositifs analogues aux MEMS, mais à l'échelle du nanomètre. On parle de NEMS pour des structures mécaniques miniatures, réalisant des fonctions de capteur ou d'actionneur, dont au moins une des dimensions est de taille nanométrique.

Nanotechnologie

Les nanosciences et nanotechnologies (d’après le grec , « nain »), ou NST, peuvent être définies au minimum comme l’ensemble des études et des procédés de fabrication et de manipulation de structures (physiques, chimiques ou biologiques), de dispositifs et de systèmes matériels à l’échelle du nanomètre (nm), qui est l'unité la plus proche de la distance entre deux atomes. Les NST présentent plusieurs acceptions liées à la nature transversale de cette jeune discipline.

Multigate device

A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).

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Couvre les lois de mise à l'échelle dans les dispositifs micro / nanomécaniques et explore diverses applications MEMS.

Quantum et nanocomputing

Couvre le calcul quantique et le nanocalcul, en se concentrant sur les molécules en tant qu'éléments conducteurs, transistors moléculaires et éléments de couplage de champ.

Bâtir demain L'électronique : des atomes aux appareils

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