Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explore l'utilisation de nanofils semi-conducteurs comme biocapteurs pour la détection sans étiquette des analytes chargés, en mettant l'accent sur la haute sensibilité et la nécessité de poursuivre les recherches.
Discute des technologies de fabrication dans les MEMS et les environnements propres et met l'accent sur l'importance des salles propres pour prévenir la contamination.
Explique les références de tension à l'aide de diodes Zener et de circuits à bande interdite, couvrant les méthodes de polarisation, la stabilité thermique et la réaction négative globale.
Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore l'évolution des systèmes numériques des transistors aux circuits intégrés et leur impact sur les applications grand public et les technologies IoT.
Couvre l'évolution des circuits intégrés numériques, l'impact des demandes du marché, les fonctionnalités modernes des circuits intégrés, l'histoire des microprocesseurs et la loi de Moore.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
Explore les avantages des sources de courant, des amplificateurs et des circuits intégrés, en se concentrant sur des miroirs de courant efficaces et des conceptions de sortie multiples.
Explore l'évolution des systèmes numériques, des transistors aux circuits intégrés, en mettant l'accent sur l'impact de la loi de Moore et du travail pratique du FPGA.
Couvre la dissipation d'énergie dans les puces VLSI, en se concentrant sur le courant sous-seuil dans les transistors NMOS et les effets de la tension de seuil sur la consommation d'énergie.
Couvre les considérations de conception pour les circuits NAND tridimensionnels, en se concentrant sur le dimensionnement des transistors et l'optimisation des performances.
