Séance de cours

Introduction à la conception d'IC

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Dans cours

EE-320: Analog IC design

Introduction to the design of analog CMOS integrated circuits at the transistor level. Understanding and design of basic structures. ...

Description

Cette séance de cours fournit une introduction à la conception des circuits intégrés CMOS analogiques au niveau des transistors, couvrant des sujets tels que la physique des transistors bipolaires et MOS, les éléments de base des circuits analogiques linéaires, les amplificateurs opérationnels et les techniques de mise en page. Il explore également les défis auxquels sont confrontés les concepteurs d'IC en raison de la faible tension d'alimentation, des fuites, des variations de PVT et de l'échelle technologique. L'instructeur souligne l'importance de bonnes compétences de conception analogiques, qui nécessitent intuition, rigueur et créativité. En outre, la séance de cours s'inscrit dans l'histoire de la technologie CMOS et de son importance dans l'industrie des semi-conducteurs.

Enseignant·e

Mahsa Shoaran

Source officielle

Proximité ontologique

Physique

Physique de la matière condensée: Physique du solide

Génie informatique

Matériel informatique: Microprocesseur

Concepts associés (32)

History of the transistor

A transistor is a semiconductor device with at least three terminals for connection to an electric circuit. In the common case, the third terminal controls the flow of current between the other two terminals. This can be used for amplification, as in the case of a radio receiver, or for rapid switching, as in the case of digital circuits. The transistor replaced the vacuum-tube triode, also called a (thermionic) valve, which was much larger in size and used significantly more power to operate.

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

Transistor bipolaire

vignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.

Point-contact transistor

The point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power.

Transistor bipolaire à grille isolée

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais en) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique.

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