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Caractéristiques de l'inverseur dynamique

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Dans cours

EE-429: Fundamentals of VLSI design

The course introduces the fundamentals of digital integrated circuits and the technology aspects from a designers perspective. It focuses mostly on transistor level, but discusses also the extension to large digital semicustom designs. ...

Description

Cette séance de cours couvre le comportement dynamique des circuits numériques, en se concentrant sur le retard inverseur, le dimensionnement pour un retard minimum et l'impact des capacités parasites. Il explique les paramètres de retard, les capacités parasites des transistors, les modèles de retard simples, les modèles de retard RC, le calcul de résistance équivalente et l'optimisation du rapport PMOS / nMOS pour un retard minimum. L'instructeur discute de l'effet du dimensionnement de l'appareil sur le retard, de l'importance d'équilibrer le rapport PMOS / nMOS et de la façon de minimiser le retard de propagation en ajustant les paramètres de l'appareil.

Enseignant·e·s (2)

Andreas Peter Burg

Andreas Burg was born in Munich, Germany, in 1975. He received his Dipl.-Ing. degree in 2000 from the Swiss Federal Institute of Technology (ETH) Zurich, Zurich, Switzerland. He then joined the Integrated Systems Laboratory of ETH Zurich, from where he graduated with the Dr. sc. techn. degree in 2006. In 1998, he worked at Siemens Semiconductors, San Jose, CA. During his doctoral studies, he was an intern with Bell Labs Wireless Research for a total of one year. From 2006 to 2007, he held positions as postdoctoral researcher at the Integrated Systems Laboratory and at the Communication Theory Group of the ETH Zurich. In 2007 he co-founded Celestrius, an ETH-spinoff in the field of MIMO wireless communication, where he was responsible for the ASIC development as Director for VLSI. In January 2009, he joined ETH Zurich as SNF Assistant Professor and as head of the Signal Processing Circuits and Systems group at the Integrated Systems Laboratory. In January 2011, he became a Tenure Track Assistant Professor at the Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL) where he is leading the Telecommunications Circuits Laboratory in the School of Engineering. In June 2018 he was promoted to the role of a Tenured Associate Professor. In 2000, Mr. Burg received the Willi Studer Award and the ETH Medal for his diploma and his diploma thesis, respectively. Mr. Burg was also awarded an ETH Medal for his Ph.D. dissertation in 2006. In 2008, he received a 4-years grant from the Swiss National Science Foundation (SNF) for an SNF Assistant Professorship. In his professional career, Mr. Burg was involved in the development of more than 25 ASICs. He is a member of the IEEE and of the European Association for Signal Processing (EURASIP). Research interests and expertise

Circuits and systems for telecommunications (wireless and wired)
Prototyping and silicon implementation of new communication technologies
Development of communication algorithms and optimization for hardware implementation
Low-power VLSI signal processing for communications and other applications
Digital integrated circuits
Circuits for image and video processing

Alexandre Sébastien Julien Willommet

Enseignement et PhD Cours Fundamentals of VLSI design EE-429 Le cours présente les principes fondamentaux des circuits intégrés numériques et les aspects technologiques du point de vue des concepteurs. Il se concentre principalement sur le niveau des transistors, mais discute également de l'extension aux grandes conceptions numériques semi-personnalisées. Lab in advanced VLSI design EE-490(b) Ces labs couvrent les techniques avancées de conception de circuit integrés. Méthode

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Concepts associés (32)

Parasitic capacitance

Parasitic capacitance is an unavoidable and usually unwanted capacitance that exists between the parts of an electronic component or circuit simply because of their proximity to each other. When two electrical conductors at different voltages are close together, the electric field between them causes electric charge to be stored on them; this effect is capacitance. All practical circuit elements such as inductors, diodes, and transistors have internal capacitance, which can cause their behavior to depart from that of ideal circuit elements.

Circuit intégré

Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.

Transistor

vignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

Capacité électrique

En électricité et en électronique, la capacité représente la quantité de charges électriques portées par un accumulateur, un condensateur ou un conducteur pour une tension donnée. Elle est définie comme étant la somme des charges électriques de l'élément divisée par le potentiel de l'élément : où : capacité (en farads (F)) ; charge (en coulombs (C)) ; différence de potentiel aux bornes de l'élément (en volts (V)).

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Séances de cours associées (64)

Circuits logiques numériques : modélisation CMOS et Verilog

Discute des circuits logiques numériques, en se concentrant sur la technologie CMOS et les techniques de modélisation Verilog.

L’effort logique : principes fondamentaux de la conception VLSI

Couvre la méthode d'effort logique pour optimiser le retard logique et l'impact de dimensionnement de la porte.

Concevoir des circuits NAND tridimensionnels: considérations clés

Couvre les considérations de conception pour les circuits NAND tridimensionnels, en se concentrant sur le dimensionnement des transistors et l'optimisation des performances.

Circuits intégrés analogiques CMOS: Fondements

Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.

Analyse de synchronisation : conception de circuits synchrones

Couvre l'analyse temporelle des circuits synchrones, en se concentrant sur les bascules, les contraintes temporelles et les problèmes de métastabilité.

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Concepts associés (32)

Parasitic capacitance

Circuit intégré

Transistor

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Capacité électrique

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