Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique

Le Laboratoire en semi-conducteurs Advances for Photonics and Electronics (LASPE) de l'EPFL se concentre sur la recherche de semi-conducteurs de nitrure du groupe III comme GaN, AlN et InN pour des applications en Photonics et Electronics. Leur travail comprend l'étude des microcavités pour le couplage fort, les points quantiques et les nanostructures, les cristaux photoniques bidimensionnels et unidimensionnels et l'optoélectronique à courte longueur d'onde. Le LASPE explore également l'électronique de haute puissance grâce à la croissance et à la physique des hétérojonctions de gaz électrons 2D GaN d'AlInN pour les transistors de mobilité à haute électron.