Composant semi-conducteurvignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.
Potentiel VoltaLe potentiel Volta (également appelé différence de potentiel Volta, différence de potentiel de contact, différence de potentiel externe, Δψ, ou "delta psi") en électrochimie, est la différence de potentiel électrostatique entre deux métaux (ou un métal et un électrolyte ) qui sont en contact et sont en équilibre thermodynamique. Plus précisément, il s'agit de la différence de potentiel entre un point proche de la surface du premier métal et un point proche de la surface du second métal (ou électrolyte ).
Plasma propulsion engineA plasma propulsion engine is a type of electric propulsion that generates thrust from a quasi-neutral plasma. This is in contrast with ion thruster engines, which generate thrust through extracting an ion current from the plasma source, which is then accelerated to high velocities using grids/anodes. These exist in many forms (see electric propulsion). However, in the scientific literature, the term "plasma thruster" sometimes encompasses thrusters usually designated as "ion engines".
Voltampérométrie cycliqueLa voltampérométrie cyclique (ou voltammétrie cyclique) est une technique électrochimique dans laquelle on enregistre la réponse en courant résultant d'une variation continue du potentiel de l'électrode de travail sur laquelle se produit la réaction électrochimique étudiée. On parle de voltampérométrie cyclique parce que le potentiel est varié, à vitesse constante, de façon répétée entre deux bornes, appelées "potentiels d'inversion". On appelle "cycle", un aller-retour entre les deux bornes.
Co-fired ceramicCo-fired ceramic devices are monolithic, ceramic microelectronic devices where the entire ceramic support structure and any conductive, resistive, and dielectric materials are fired in a kiln at the same time. Typical devices include capacitors, inductors, resistors, transformers, and hybrid circuits. The technology is also used for robust assembly and packaging of electronic components multi-layer packaging in the electronics industry, such as military electronics, MEMS, microprocessor and RF applications.
Wafer-level packagingWafer-level packaging (WLP) is a process where packaging components are attached to an integrated circuit (IC) before the wafer – on which the IC is fabricated – is diced. In WSP, the top and bottom layers of the packaging and the solder bumps are attached to the integrated circuits while they are still in the wafer. This process differs from a conventional process, in which the wafer is sliced into individual circuits (dice) before the packaging components are attached.
WaferEn électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Projet Orionthumb|upright=1.4|Vue d'artiste d'un vaisseau Orion selon les principes de conception de la NASA. Le Projet Orion fut la première étude de conception d'un véhicule spatial mû par propulsion nucléaire pulsée, idée proposée par Stanislaw Ulam en 1947. Le projet, amorcé dans les années 1950, était mené par une équipe d'ingénieurs et de physiciens de General Atomics, comprenant quelques célébrités telles que le physicien Theodore Taylor. Sur la demande de Taylor, le physicien Freeman Dyson quitta pendant une année ses travaux universitaires pour diriger le projet.
Threshold voltageThe threshold voltage, commonly abbreviated as Vth or VGS(th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (VGS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals. It is an important scaling factor to maintain power efficiency. When referring to a junction field-effect transistor (JFET), the threshold voltage is often called pinch-off voltage instead.
Gate arrayA gate array is an approach to the design and manufacture of application-specific integrated circuits (ASICs) using a prefabricated chip with components that are later interconnected into logic devices (e.g. NAND gates, flip-flops, etc.) according to custom order by adding metal interconnect layers in the factory. It was popular during the upheaval in the semiconductor industry in the 1980s, and its usage declined by the end of the 1990s.
Uncrewed spacecraftRobotic spacecraft or uncrewed spacecraft are spacecraft without people on board. Uncrewed spacecraft may have varying levels of autonomy from human input; they may be remote controlled, remote guided or autonomous: they have a pre-programmed list of operations, which they will execute unless otherwise instructed. A robotic spacecraft for scientific measurements is often called a space probe or space observatory. Many space missions are more suited to telerobotic rather than crewed operation, due to lower cost and risk factors.
Standard electrode potentialIn electrochemistry, standard electrode potential , or , is a measure of the reducing power of any element or compound. The IUPAC "Gold Book" defines it as: "the value of the standard emf (electromotive force) of a cell in which molecular hydrogen under standard pressure is oxidized to solvated protons at the left-hand electrode". The basis for an electrochemical cell, such as the galvanic cell, is always a redox reaction which can be broken down into two half-reactions: oxidation at anode (loss of electron) and reduction at cathode (gain of electron).
