Publication

Observation of stimulated Brillouin scattering in silicon nitride integrated waveguides

Luc Thévenaz, Tobias Kippenberg, Junqiu Liu, Arslan Sajid Raja, Jijun He, Flavien Gyger
2020
Conference Papers

Résumé

We report the first observation of backward stimulated Brillouin scattering in fully cladded Si3N4 waveguides. The intrinsic Brillouin gain at 25 GHz and the photoelastic constant are estimated to be 4 × 10−13 m/W and |p12| = 0.047 ± 0.004 respectively.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/f876c720-3b51-49eb-8687-225983ad7baa

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Concepts associés (6)

Silicon photonics

Silicon photonics is the study and application of photonic systems which use silicon as an optical medium. The silicon is usually patterned with sub-micrometre precision, into microphotonic components. These operate in the infrared, most commonly at the 1.55 micrometre wavelength used by most fiber optic telecommunication systems. The silicon typically lies on top of a layer of silica in what (by analogy with a similar construction in microelectronics) is known as silicon on insulator (SOI).

Optique intégrée

L'optique intégrée concerne l'utilisation de technologies similaires à celles de la microélectronique pour la réalisation de composants optiques de très petite dimension. La réalisation des systèmes d'optique intégrée se fait par modification d'un substrat comme le phosphure d'indium. Ces technologies permettent de réaliser dans de faibles volumes des fonctions optiques élémentaires ou élaborées impossibles à réaliser par d’autres technologies. Leur géométrie générale est celle de plaquettes de quelques cm d'une épaisseur maximale de .

Bande interdite

redresse=.9|vignette|Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états électroniques est nulle, de sorte qu'on n'y trouve pas de niveau d'énergie électronique. La largeur de bande interdite, ou band gap en anglais, est une caractéristique fondamentale des matériaux semiconducteurs ; souvent notée , elle est généralement exprimée en électronvolts (eV). Fichier:Band filling diagram.

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Single-frequency violet and blue laser emission from AlGaInN photonic integrated circuit chips

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