Publication

Development of High Temperature Platinum TSVs

Nico de Rooij
2011
Conference Papers

Résumé

We report on harsh-environment-compatible Pt-TSVs forming ohmic contacts with a highly doped bulk silicon. They were developed as a part of a Single Wall Carbone NanoTube (SWCNT) resonator device with 3D-packaging. The fundamental properties of the TSVs, experimentally obtained with bulk Si instead of the real working device, are presented. Our concept for the device fabrication is “via first”, followed by the nanodevice fabrication. As such, first ohmic contacts on silicon has been studied to be compatible with several harsh post-processing steps, including high temperature treatments—up to 850°C in air—and concentrated HF-based release steps. Then TSVs withstanding the aforesaid conditions have been developed. These interconnects are also of interest for MEMS devices operating at high temperature.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/f040a386-fc72-42d3-90f1-441d6e6af34b

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vignette|481x481px|Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm

Strained silicon

Strained silicon is a layer of silicon in which the silicon atoms are stretched beyond their normal interatomic distance. This can be accomplished by putting the layer of silicon over a substrate of silicon–germanium (). As the atoms in the silicon layer align with the atoms of the underlying silicon germanium layer (which are arranged a little farther apart, with respect to those of a bulk silicon crystal), the links between the silicon atoms become stretched - thereby leading to strained silicon.

Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

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