Publication

Cathodoluminescence intensity and dislocation contrast evolutions under electron beam excitation in epitaxial GaN laterally overgrown on (0001) sapphire

Jean-Daniel Ganière, Klaus Leifer
1999
Journal Articles

Résumé

We describe the first stage of the evolution of CL spectra, intensity and dislocation contrast under low keV electron beam for ELO-GaN with a low dislocation density. The UV and yellow intensities are decreased by beam irradiation. We have observed a broadening of the UV peak towards low energies followed by a red shift. This is explained in terms of an electron beam activation of non-radiative centers which relax partially the compressive strain, The dislocation contrast is lowered, but the dislocations become more non-radiative. We suggest that dislocations are preferential ways for the flux of non-radiative centers from the coalescence boundaries to the bulk. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

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https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/efb5cc8b-3168-47b1-bdbf-d6c5f8fda75f

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