Publication

Single Crystal Silicon UHF Wine-Glass Ring Resonator with HfO2 Solid Dielectric Gap embedded in a Field Effect Transistor

Mihai Adrian Ionescu
2014
Posters

Résumé

In this work we present an ultra-high-frequency (UHF) single crystal silicon ring resonator with two embedded FETs. Electromechanical coupling is realized through a high-K, namely 10 nm HfO2, dielectric solid-gap sandwiched between the gate electrode and the ring lateral surface. The higher permittivity of the solid-gap material as well as the technological possibility of having narrower gap than air-gap counterparts, will uniquely allow to improve at the same time the electromechanical coupling and the FET amplifcation by increasing the gate capacitance.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/e9d880c8-8a33-4ea7-9d8e-937359651f95

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Concepts associés (32)

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

Transistor

vignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

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Nanomaterials for Energy Storage and Neuromorphic Electronics: From Supercapacitors to Antiferroelectric 2D-FETs

Small www.small-journal.com RESEARCH ARTICLE Composition-Dependent Wide-Range Tunability of Optical and Electronic Properties in SnS x Se(2-x) Alloy Nanosheets

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