Publication

Analytical Modeling of Cryogenic Subthreshold Currents in 22-nm FDSOI Technology

Edoardo Charbon, Christian Enz, Hung-Chi Han
2024
Journal Articles

Résumé

The transistor compact model is crucial but has yet to mature for cryogenic electronics. This paper presents a sophisticated analytical model of the MOSFET subthreshold current at cryogenic temperatures, accounting for the thermionic, hopping, source-to-drain tunneling transports, and the Gaussian-distributed interface traps to bridge the gap. Hopping and source-to-drain tunneling transports can co-exist in the subthreshold regime, leading to subthreshold saturation strongly correlated to channel length and drain voltages.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/e809410e-aa3f-4d02-b9ed-8ee705600e78

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Characteristics and ultra-high total ionizing dose response of 22nm fully depleted silicon-on-insulator