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The radiation response of MOS transistors in a 22 nm Fully Depleted Silicon -On -Insulator (FDSOI) technology exposed to ultra -high total ionizing dose (TID) was investigated. Custom structures including n- and p -channel devices with different sizes and threshold voltage flavours were irradiated with X-rays up to a TID of 100 Mrad(SiO2) with different back -gate bias configurations, from -8 V to 2 V. The investigation revealed that the performance is significantly affected by TID, with the radiation response being dominated by the charge trapped in the buried oxide.
Simon Nessim Henein, Florent Cosandier, Loïc Benoît Tissot-Daguette, Quentin Gubler