Publication

Novel spectromicroscopy: Pt-GaP studies by spatially resolved internal photoemission with near-field optics

Giorgio Margaritondo
1996
Journal Articles

Résumé

The combination of internal photoemission and near-field optics is proposed as a generally applicable approach to study the lateral variations of solid interface properties such as energy barriers and electron-hole recombination rates. A successful test on Pt-GaP is described in which topographic and nontopographic phenomena are revealed, in particular recombination rate variations and small lateral changes of the Schottky barrier height. (C) 1996 American Institute of Physics.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/daf3f7bd-6909-46bb-9c23-b14d56fecf9c

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Concepts associés (28)

Trou d'électron

En physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou. Une bande de valence remplie (ou presque remplie) est une caractéristique des isolants et des semi-conducteurs. Le concept de trou est essentiellement une façon simple d'analyser le mouvement d'un grand nombre d'électrons en traitant cette absence d'électron comme une quasi-particule. Les trous sont dus à l'interaction des électrons avec le réseau cristallin.

Carrier generation and recombination

In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes.

Effet Auger

thumb|280px|Deux vues de l'effet Auger : (a) illustre séquentiellement les étapes impliquées dans la désexcitation Auger. Un électron incident (ou un photon) crée un trou de cœur dans le niveau 1s. Un électron du niveau 2s remplit le trou 1s et l'énergie de transition est transmise à un électron 2p qui est émis. Le niveau atomique final a ainsi deux trous, un sur l'orbitale 2s et un autre sur l'orbitale 2p. (b) illustre le même processus en utilisant la notation spectroscopique KL1L2,3.

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