Publication

Tuning the giant Rashba effect on a BiAg2 surface alloy: Two different approaches

Klaus Kern, Marco Grioni
2010
Conference Papers

Résumé

We discuss two different approaches for tuning the giant spin-orbit splitting of a BiAg2 surface alloy. The first approach consists of electron doping by alkaline metal deposition in order to shift the energy position of the spin-split surface states, while the second is based on the novel Si(1 1 1)-Ag-BiAg2 trilayer system. In both cases the spin-polarized structure near the Fermi level can be controlled by an external parameter, while the second approach permits coupling the concept of giant spin-splitting with a semiconducting substrate. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/d8771be1-65a0-4d1e-851f-c2ef7046f3f0

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Klaus Kern, Marco Grioni
2010
Conference Papers

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/d8771be1-65a0-4d1e-851f-c2ef7046f3f0

À propos de ce résultat

Concepts associés (32)

Niveau de Fermi

Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la répartition des électrons dans ce système en fonction de la température. La notion de niveau de Fermi est utilisée en physique et en électronique, notamment dans le cadre du développement des composants semi-conducteurs. Concrètement, le niveau de Fermi est une fonction de la température mais il peut être considéré, en première approximation, comme une constante, laquelle équivaudrait alors au niveau de plus haute énergie occupé par les électrons du système à la température de .

Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante. En d'autres termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants. Le comportement électrique des semi-conducteurs est généralement modélisé, en physique de l'état solide, à l'aide de la théorie des bandes d'énergie.

Énergie de Fermi

L'énergie de Fermi, EF, en mécanique quantique, est l'énergie du plus haut état quantique occupé dans un système par des fermions à . Parfois, le terme est confondu avec le niveau de Fermi, qui décrit un sujet proche quoique différent, le niveau de Fermi représentant le potentiel chimique des fermions. Ces deux quantités sont les mêmes à , mais diffèrent pour toute autre température.

Afficher plus

Publications associées (12)

Afficher plus

Tuning the giant Rashba effect on a BiAg2 surface alloy: Two different approaches

Chattez avec Graph Search

Pressure-driven metal-insulator transition in BaMn2⁢P2 : A correlated Mn-pnictide analog of Fe-based superconductors

Controlling spin lifetimes in lead-free halide perovskite semiconductors

Photoluminescence of p-doped quantum wells with strong spin splitting