Publication

Dynamic gain cell with reduced leakage

2025

Résumé

A 3T gain cell includes a write transistor, a storage transistor and a read transistor. The write transistor has a first diffusion connected to a write bit line (WBL), a gate connected to a write word line (WWL) and a second diffusion. The storage transistor has a gate connected to said second diffusion of said write transistor, a first diffusion connected to a read bit line (RBL), and a second diffusion. The read transistor has a gate connected to a read word line (RWL) a first diffusion connected to said second diffusion of said storage transistor, and a second diffusion connected to a reference voltage.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c3a70054-2647-4263-a8bb-f814c7cc4ff6

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Concepts associés (32)

Transistor

vignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.

Mémoire morte

thumb|Une PROM (1983) Originellement, l'expression mémoire morte (en anglais, Read-Only Memory : ROM) désignait une mémoire informatique non volatile dont le contenu est fixé lors de sa programmation, qui pouvait être lue plusieurs fois par l'utilisateur, mais ne pouvait plus être modifiée. Avec l'évolution des technologies, la définition du terme mémoire morte (en français) ou read only memory (en anglais) a été élargie pour inclure les mémoires non volatiles dont le contenu est fixé lors de leur fabrication, qui peuvent être lues plusieurs fois par l'utilisateur et qui ne sont pas prévues pour être modifiées.

Mémoire à ligne de délai

La mémoire à ligne de délai (en anglais delay line memory) était un type de mémoire vive utilisé sur certains des premiers ordinateurs numériques, comme l'EDSAC et l'UNIVAC I. Le concept de base de la ligne de délai est issu des recherches sur le radar, à l'occasion de la Seconde Guerre mondiale. Celles-ci visaient à réduire les perturbations amenées par la réflexion des ondes avec le sol et les autres objets fixes. Les radars de l'époque utilisaient des pulsations répétées d'énergie radio, les réflexions étaient reçues et amplifiées pour être affichées.

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