Publication

Strain and surface morphology in lattice-matched ZnSe/InxGa1-xAs heterostructures

Jean-Daniel Ganière
1998
Journal Articles

Résumé

Lattice-matched ZnSe/InxGa1-xAs heterostructures were fabricated by molecular beam epitaxy on GaAs(001)2x4 surfaces. We find that the partial character of the strain relaxation within the ternary layer can be compensated by a suitable excess in the In concentration to match the free-surface lattice parameter to ZnSe. The surface of the II-VI epilayer, however, exhibits a cross-hatched pattern of surface corrugations oriented along orthogonal [110] directions. This complex surface morphology reflects the formation of surface slip steps during the nucleation of dislocation half-loops at the surface and the establishment of the misfit dislocation network at the InxGa1-xAs/GaAs interface. (C) 1998 American Institute of Physics.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c1198d9b-e915-4154-91ee-3ad7f848d350

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Dislocation

En science des matériaux, une dislocation est un défaut linéaire (c'est-à-dire non-ponctuel), correspondant à une discontinuité dans l'organisation de la structure cristalline. Une dislocation peut être vue simplement comme un "quantum" de déformation élémentaire au sein d'un cristal possédant un champ de contrainte à longue distance. Elle est caractérisée par : la direction de sa ligne ; un vecteur appelé « vecteur de Burgers » dont la norme représente l'amplitude de la déformation qu'elle engendre.

Hétérojonction

Une hétérojonction est une jonction entre deux semi-conducteurs dont les bandes interdites (gap, en langue anglaise) sont différentes. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semi-conducteurs et en optique. Une hétérojonction est une jonction formée par deux semi-conducteurs différents ou par un métal et un semi-conducteur. Quand les deux semi-conducteurs ont le même type de conductivité, on parle d'hétérojonction isotype. Lorsque le type de conductivité diffère, on parle d'hétérojonction anisotype.

Slip (materials science)

In materials science, slip is the large displacement of one part of a crystal relative to another part along crystallographic planes and directions. Slip occurs by the passage of dislocations on close/packed planes, which are planes containing the greatest number of atoms per area and in close-packed directions (most atoms per length). Close-packed planes are known as slip or glide planes. A slip system describes the set of symmetrically identical slip planes and associated family of slip directions for which dislocation motion can easily occur and lead to plastic deformation.

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