Publication

Effect of growth interruptions on ultra thin InAs/InP quantum grown by chemical beam epitaxy

Romuald Houdré, Jean-François Carlin, Alok Rudra, Marc Ilegems
1992
Journal Articles

Résumé

We have studied the effect of growth interruptions on 2 monolayer thick InAs/InP strained quantum wells (QWS) grown by chemical beam epitaxy. The main feature is the formation of up to 8 monolayer thick InAs islands during As, annealing of the QW. Their formation is characterized by a two- to three-dimensional transition of the reflection high energy electron diffraction (RHEED) pattern and by multiple-line photoluminescence spectra. This interpretation of the data is confirmed by transmission electron microscopy (TEM).

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https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c0308acc-a82e-4668-a074-8421abcb1058

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