Publication

Vertical versus lateral tunneling FET non-volatile memory cell

Mihai Adrian Ionescu
2016
Conference Papers

Résumé

This work reports a comparison of high-k AbO(3)/HfO2/Al2O3 dielectric stack Tunnel FETs with both vertical tunneling and lateral tunneling, as non-volatile memory (NVM) cells. Tunnel FET NVM are fabricated and characterized to evaluate their potential as low power memory operation. These memory cells can be programmed with voltages from -10V to -15V (p type devices) and show extremely stable memory hysteresis up 400K with very low leakage. We experimentally show that, in strong contrast with conventional lateral tunneling TFET, the vertical tunneling TFET based NVM memory has a much higher memory window (V-T shift) due to excellently aligned gate field and tunneling path in the latter case.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b8d1d054-5c02-4d9b-9578-a17bee7b21d1

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Mémoire non volatile

Une mémoire non volatile est une mémoire informatique qui conserve ses données en l'absence d'alimentation électrique. On distingue plusieurs types de mémoires non volatiles : les mémoires à base de papier, par exemple les rubans perforés et les cartes perforées ; les mémoires à base de semi-conducteurs, par exemple les mémoires mortes (ROM) et les mémoires RAM non volatiles (NVRAM) ; les mémoires utilisant un support magnétique, par exemple les disquettes (floppy disks) et les disques durs (hard disks) ; les mémoires utilisant une surface réfléchissante lue par un laser, par exemple les CD et les DVD.

Semiconductor memory

Semiconductor memory is a digital electronic semiconductor device used for digital data storage, such as computer memory. It typically refers to devices in which data is stored within metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells on a silicon integrated circuit memory chip. There are numerous different types using different semiconductor technologies. The two main types of random-access memory (RAM) are static RAM (SRAM), which uses several transistors per memory cell, and dynamic RAM (DRAM), which uses a transistor and a MOS capacitor per cell.

Memory cell (computing)

The memory cell is the fundamental building block of computer memory. The memory cell is an electronic circuit that stores one bit of binary information and it must be set to store a logic 1 (high voltage level) and reset to store a logic 0 (low voltage level). Its value is maintained/stored until it is changed by the set/reset process. The value in the memory cell can be accessed by reading it. Over the history of computing, different memory cell architectures have been used, including core memory and bubble memory.

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