Publication

The Equivalent-Thickness Concept for Doped Symmetric DG MOSFETs

Jean-Michel Sallese
2010
Journal Articles

Résumé

In this paper, we propose to derive an analytical model for the doped symmetric double-gate (DG) MOSFET that is valid in all regions of operation. We show that doping the silicon channel can be converted in an equivalent silicon thickness and threshold voltage shift using a formalism developed for the undoped device. Adopting the same physical parameters, we demonstrate that this approach is in agreement with numerical technology computer-aided design simulations. This concept is therefore an interesting basis for a unified model for doped and undoped symmetric DG MOSFETs.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b0d798c8-1b44-48b3-8442-fc4fbf3fbb20

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

The Equivalent-Thickness Concept for Doped Symmetric DG MOSFETs

Chattez avec Graph Search

Oxygen effects on hopping transport in polycrystalline tungsten disulfide transistors via laser-assisted doping

Cryogenic Characterization and Modeling of Advanced MOSFET Technologies for Large-scale Quantum Computing

General and Unified Model of the Power Flow Problem in Multiterminal AC/DC Networks