Publication

Growth, Characterization and Adhesion of Thick Deposited Tungsten Layers Under Transient Loading in Magnum-PSI

2026

Résumé

The recent decision by ITER to move from a Be to a W first wall has significant implications for material transport and deposition, and can be expected to lead to increased W layer growth rate in deposition regions, which may flake leading to plasma disruption. In this work a novel sputtering set-up was implemented in the Magnum-PSI linear plasma device to create W layers under ITER relevant conditions. A W plate was inserted into the plasma edge and biased to cause sputtering of W in an Ar plasma. This sputtered W was entrained by the plasma and deposited on an array of mixed W and Mo targets at

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/a97df56e-a90d-40cb-adc9-4555e3c45cf4

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Concepts associés (32)

Dépôt chimique en phase vapeur

vignette|Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré.

Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma

thumb|Équipement de PECVD. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes.

Évaporation sous vide

Lévaporation sous vide est une technique de dépôt de couche mince (généralement métallique), utilisée notamment dans la fabrication micro-électronique. Le matériau à déposer est évaporé sous vide dans une enceinte hermétique, le vide permettant aux particules d'atteindre directement le support où elles se recondensent à l'état solide. L'évaporation sous vide repose sur deux processus élémentaires : l'évaporation d'une source chauffée et la condensation à l’état solide de la matière évaporée sur le substrat.

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Dependence of Intrinsic Stress in Hydrogenated Amorphous-Silicon on Excitation-Frequency in a Plasma-Enhanced Chemical Vapor-Deposition Process