Publication

Fast and Efficient Light Intensity Modulation in SOI with Gate-All-Around Transistor Phase Modulator

Mihai Adrian Ionescu, Luc Thévenaz, Kirsten Emilie Moselund, Paolo Giuseppe Dainesi
2006
Conference Papers

Résumé

We report fast modulation (>30 GHz) in a SOI resonant cavity using integrated Bragg mirrors and a gate-all-around transistor as active element. Modulation depth >90% can be obtained in 12.5 μm long devices.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/a5a0ef7a-ac3a-429a-9c3b-cf8a5c1ad204

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