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In this study, we investigate the impact of two-dimensional MoS2 coating on the optical properties of surface GaN/AlGaN quantum wells (QWs). A strong enhancement in GaN QW light emission is observed with monolayer-MoS2 coating, yielding luminescence intensity comparable to that from a QW capped by an AlGaN barrier. Our results demonstrate that MoS2, despite its quite different nature from III-nitride semiconductors, acts as an effective barrier for surface GaN QWs and suppresses spatially localized intrinsic surface states. This finding provides novel pathways for efficient III-nitride surface passivation.
Mohammad Khaja Nazeeruddin, Shun Tian
Camille Sophie Brès, Edgars Nitiss, Boris Zabelich, Christian André Clément Lafforgue
Frank Nüesch, Wei-Hsu Hu, Camilla Arietta Vael-Garn