Publication

Movpe Growth and Properties of Gap Using Nitrogen Bridged Adduct

Jean-Louis Staehli
1992
Journal Articles

Résumé

Amongst the new precursors for the III component in MOVPE there are numerous nitrogen containing compounds. Using those compounds, besides the electrical and optical quality of the grown material, the question of incorporation of nitrogen arises. We present the results of GaP growth with the TMGa-TMN adduct. Photoluminscence at 2 K clearly detects nitrogen as a substitutional dopant. Considering the luminescence features the nitrogen concentration was estimated to be about 10(16)-10(17) cm-3. The residual carrier concentration of the layers is in the range of 10(15) cm-3. No oxygen-related emission was observed. A discussion of the growth and the properties of the material is given.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/a2d9617a-a5ac-4c38-b142-9f179aee3bd6

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Jean-Louis Staehli
1992
Journal Articles

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/a2d9617a-a5ac-4c38-b142-9f179aee3bd6

À propos de ce résultat

Concepts associés (32)

Azote

L'azote est l'élément chimique de numéro atomique 7, de symbole N (du latin nitrogenium). C'est la tête de file du groupe des pnictogènes. Dans le langage courant, l'azote désigne le corps simple N (diazote), constituant majoritaire de l'atmosphère terrestre, représentant presque les 4/ de l'air (78,06 %, en volume). L'azote est le constituant la croûte terrestre par ordre d'importance.

Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.

Dioxyde d'azote

Le dioxyde d'azote est un composé chimique de formule . Concentré, il se présente comme un gaz brun-rouge toxique suffocant à l'odeur âcre et piquante caractéristique. C'est un précurseur de la production industrielle de l'acide nitrique et un polluant majeur de l'atmosphère terrestre produit par les moteurs à combustion interne (à Diesel majoritairement) et les centrales thermiques ; il est responsable à ce titre du caractère eutrophisant et acidifiant des « pluies acides » non soufrées (le NO2 combiné à l'ozone troposphérique anthropique forme des nitrates très solubles dans l'eau).

Afficher plus

Publications associées (6)

Afficher plus

Movpe Growth and Properties of Gap Using Nitrogen Bridged Adduct

Chattez avec Graph Search

Evidence of the non-radiative character of dislocations in V-pit-free InGaN/GaN quantum wells

Steel, a material to reuse

Selective light induced chemical vapour deposition of titanium dioxide thin films