Publication

Surface plasmon illumination scheme for contact lithography beyond the diffraction limit

2003
Conference Papers

Résumé

A novel local illumination scheme for optical lithography is proposed. It is based on the excitation of a surface plasmon on a metal film incorporated into a polymer light coupling mask for contact lithography. The electromagnetic field associated with the surface plasmon generates illumination volumes in the photoresist which are not limited by the diffraction (or Rayleigh) limit. Computer simulations indicate that the replication of 20 nm features using 630 nm illumination wavelength can be achieved with this technique. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/9bc2ab31-93e0-433c-af59-13694e116e8e

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Concepts associés (32)

Photolithographie

La photolithographie est l'ensemble des opérations permettant de transférer une image (généralement présente sur un masque) vers un substrat. Cette technique est très utilisée dans l'industrie du semi-conducteur. Les motifs de l'image ainsi transférée deviendront par la suite les différentes zones des composants électroniques (exemple : contact, drain...) ou les jonctions entre ces composants.

Plasmon de surface

Le plasmon de surface est une onde électromagnétique guidée à la surface d’un métal. Elle se propage partiellement dans le métal (l’onde y pénètre à une profondeur de typiquement pour les métaux nobles). Le plasmon de surface étant un mode guidé, se propageant le long d’une interface plane, il ne peut pas être excité simplement par un faisceau de lumière incident. Il faut utiliser un coupleur (à prisme ou à réseau). Une des caractéristiques les plus importantes du plasmon de surface est que c’est un mode localisé à l’interface.

Lithographie extrême ultraviolet

vignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »).

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