Publication

Empirical Finfet Cryo-Model Oriented to Integrated Circuits Design

Edoardo Charbon
2025

Résumé

In this paper we propose a new empirical formulation for modelling the DC drain-current behaviour of CMOS technology devices for RF applications oriented to quantum computing integrated circuits. The approach is based on the well-known Angelov's model, that has been properly modified to include the capability of reproducing the transistor DC I-V characteristics from ambient down to cryogenic temperature. The approach has been successfully applied to 16-nm FinFET technology, showing very good performance in terms of model accuracy.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/8c08ccd2-a67b-4df5-9c75-1da89357c82e

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