Publication

Characterization of InGaAs and InAlAs layers on InP by four-crystal high resolution X-ray diffraction and wedge transmission electron microscopy

Alok Rudra, Marc Ilegems
1991
Conference Papers

Résumé

The indium desorption rates from InGaAs and InAlAs grown on InP substrates have been measured by wedge transmission electron microscopy as a function of the growth temperature. Desorption becomes significant at 545-degrees-C for both materials. No automatching effects could be observed under the growth conditions of the experiment. The bandgap of In(y)Al1-yAs has been measured at 77 K as a function of the indium content. The composition and the strain have been measured by four-crystal high resolution X-ray diffraction with symmetrical (004) and assymmetrical (115 +/-) Bragg reflections. The intrinsic bandgap follows the relation E(g)(y) = 2.774 - 2.411 y and the strained material the relation E(gs)(y) = 0.671 + 5.236y-6.929y2.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/7d04df0e-98b7-4e7d-a72a-4f6235ffc542

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Alok Rudra, Marc Ilegems
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