Électronique analogiqueL'électronique analogique est la partie de l'électronique qui exploite des signaux pouvant fonctionner ou être mesurés par des valeurs continues. Le terme analogique provient du grec « ανάλογος », et signifie ici « proportionnel ». L'électronique analogique est complémentaire avec lélectronique numérique, qui traite des signaux dont les valeurs sont discrètes, et pour laquelle des signaux analogiques d'origine peuvent être intégrés par conversion analogique-numérique, par échantillonnage et quantification.
ParamagnétismeLe paramagnétisme désigne en magnétisme le comportement d'un milieu matériel qui ne possède pas d'aimantation spontanée mais qui, sous l'effet d'un champ magnétique extérieur, acquiert une aimantation orientée dans le même sens que le champ magnétique appliqué. Un matériau paramagnétique possède une susceptibilité magnétique de valeur positive (contrairement aux matériaux diamagnétiques). Cette grandeur sans unité est en général assez faible (dans une gamme allant de à ).
Linear integrated circuitA linear integrated circuit or analog chip is a set of miniature electronic analog circuits formed on a single piece of semiconductor material. The voltage and current at specified points in the circuits of analog chips vary continuously over time. In contrast, digital chips only assign meaning to voltages or currents at discrete levels. In addition to transistors, analog chips often include a larger number of passive elements (capacitors, resistors, and inductors) than digital chips.
Semiconductor memorySemiconductor memory is a digital electronic semiconductor device used for digital data storage, such as computer memory. It typically refers to devices in which data is stored within metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells on a silicon integrated circuit memory chip. There are numerous different types using different semiconductor technologies. The two main types of random-access memory (RAM) are static RAM (SRAM), which uses several transistors per memory cell, and dynamic RAM (DRAM), which uses a transistor and a MOS capacitor per cell.
MagnetochemistryMagnetochemistry is concerned with the magnetic properties of chemical compounds. Magnetic properties arise from the spin and orbital angular momentum of the electrons contained in a compound. Compounds are diamagnetic when they contain no unpaired electrons. Molecular compounds that contain one or more unpaired electrons are paramagnetic. The magnitude of the paramagnetism is expressed as an effective magnetic moment, μeff. For first-row transition metals the magnitude of μeff is, to a first approximation, a simple function of the number of unpaired electrons, the spin-only formula.
Electrical resistance and conductanceThe electrical resistance of an object is a measure of its opposition to the flow of electric current. Its reciprocal quantity is , measuring the ease with which an electric current passes. Electrical resistance shares some conceptual parallels with mechanical friction. The SI unit of electrical resistance is the ohm (Ω), while electrical conductance is measured in siemens (S) (formerly called the 'mho' and then represented by ℧). The resistance of an object depends in large part on the material it is made of.
Floating-gate MOSFETThe floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG.
Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Coefficient thermiqueLe coefficient thermique est la dérivée logarithmique d'une grandeur physique par rapport à la température. Il permet de décrire la variation relative d'une propriété physique R, par rapport à une valeur de référence, lorsqu'elle varie en fonction de la température, mais que cette variation ne dépend elle-même que peu de la température, au moins sur la plage où cette quantité sera utilisée.
Calculateur analogiquethumb|L'Elwat, un calculateur analogique polonais fabriqué entre 1967 et 1969 ; les éléments visibles sont, de gauche à droite, un voltmètre, un téléscripteur, un oscilloscope et l'ordinateur à proprement parler. Un calculateur analogique est une application particulière des méthodes analogiques consistant à remplacer l'étude d'un système physique donné par celle d'un autre système physique régi par les mêmes équations. Pour que cela présente un intérêt, le système « analogue » doit être facile à construire, les mesures aisées et moins coûteuses que sur le système réel.
Point critique (thermodynamique)vignette| Le point critique d'un corps pur est le point du diagramme température-pression, généralement noté C, où s'arrête la courbe d'équilibre liquide-gaz. La température T et la pression P du point critique sont appelées température critique et pression critique du corps pur. Le volume molaire et la masse volumique du corps pur à ces température et pression (V et ρ) sont appelés volume critique et masse volumique critique (plus souvent, mais improprement, densité critique).
Spectroscopie diélectriqueDielectric spectroscopy (which falls in a subcategory of impedance spectroscopy) measures the dielectric properties of a medium as a function of frequency. It is based on the interaction of an external field with the electric dipole moment of the sample, often expressed by permittivity. It is also an experimental method of characterizing electrochemical systems. This technique measures the impedance of a system over a range of frequencies, and therefore the frequency response of the system, including the energy storage and dissipation properties, is revealed.
