Publication

Low voltage electrostatic 90° turning flap for reflective MEMS display

Nico de Rooij
2010
Conference Papers

Résumé

A low voltage electrostatically actuated 90° turning flap is modeled and fabricated. The application is a new kind reflective, low-power, MEMS-based display with high contrast and reflectance. The system consists of a poly-silicon flap fabricated onto a silicon substrate with a transparent counter electrode on glass and a device layer of a silicon-on-insulator (SOI) wafer as spacer in between them. Actuation voltages down to 20V are achieved.

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Nico de Rooij
2010
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Concepts associés (30)

Silicon on sapphire

Silicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 μm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used. The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates.

Crystalline silicon

Crystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.

Silicium amorphe

Le silicium amorphe, généralement abrégé a-Si, est la variété allotropique non cristallisée du silicium, c’est-à-dire dans lequel les atomes sont désordonnés et ne sont pas rangés de façon régulière définissant une structure cristalline. Le silicium amorphe peut être déposé en couches minces à basse température sur un grand nombre de substrats, permettant d'envisager une grande variété d'applications microélectroniques. Ce matériau semi-conducteur est couramment utilisé pour réaliser certains panneaux solaires photovoltaïques.

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Formation and properties of nanometer-thick platinum silicide layers