Publication

Toward Bright and Pure Single Photon Emitters at 300 K Based on GaN Quantum Dots on Silicon

Nicolas Grandjean, Raphaël Butté, Gordon Jens Callsen, Sebastian Pascal Tamariz Kaufmann, Johann Nicolaï Stachurski, Kanako Shojiki
2020
Journal Articles

Résumé

Quantum dots (QDs) based on III-nitride semi-conductors are promising for single photon emission at noncryogenic temperatures due to their large exciton binding energies. Here, we demonstrate GaN QD single photon emitters operating at 300 K with g((2)) (0) = 0.17 +/- 0.08. At this temperature, single photon emission rates up to 10 6 s(-1) are reached, while g((2)) (0)

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/57b2342c-f54e-442e-bdc6-56eacbf40c9b

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Toward Bright and Pure Single Photon Emitters at 300 K Based on GaN Quantum Dots on Silicon

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Investigation of room-temperature single-photon emitters in GaN-based materials and GaN/AlN quantum dots

Persistent enhancement of exciton diffusivity in CsPbBr3 nanocrystal solids

Study of growth-induced point defects and their impact on InGaN-based optoelectronic devices