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Disclosed is a diode device (1) including an insulator (7) extending between and in contact with two metal terminals (3, 5), wherein the insulator comprises at least one epsilon-near-zero (enz) material, or comprises at least one epsilon-negative (eng) material (7a) and a second insulator material (7b) forming a double insulator structure, and an electron source layer (9), particularly of graphene, between a metal terminal and the enz or eng material. the insulator provides a reduced effective capacitance which permits rectifying diode operation at thz, infrared or visible frequencies, particularly for a solar radiation rectenna.