Publication

P-type InGaN across the entire alloy composition range

Esther Alarcón Lladó
2013
Journal Articles

Résumé

A systematic investigation on Mg doped and undoped InGaN epilayers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy has been conducted. Single phase InGaN alloys across the entire composition range were synthesized and Mg was doped into InxGa1-xN (0.1

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4ddcf661-55ff-46e2-a65c-a4e548e524d8

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