Publication

Selective low-pressure chemical vapor deposition of copper and platinum

Hubert van den Bergh
1992
Journal Articles

Résumé

The low-pressure chem. vapor deposition of copper and platinum was studied on SiO2 substrates which had been locally prenucleated with ultrathin metal layers of Pt, Cu, Pd, Au, and W. These layers were between 0.1 and 30 .ANG. thick and were produced by vacuum evapn. Copper metal is deposited selectively on top of the prenucleation layers from gaseous bishexafluoroacetylacetonate {Cu(hfa)2} dild. in hydrogen. High-quality copper could be grown at temps. in the range of 300-400 Deg with elec. resistivities as low as 2.5 times the bulk copper value. In contrast, platinum deposited from gaseous Pt(hfa)2 in H2 grows selectively on clean oxide surface rather than on the areas prenucleated with vacuum evapd. platinum.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4c826f30-5728-49e2-8ed9-5dd218086e39

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Hubert van den Bergh
1992
Journal Articles

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4c826f30-5728-49e2-8ed9-5dd218086e39

À propos de ce résultat

Concepts associés (22)

Cuivre

Le cuivre est l'élément chimique de numéro atomique 29, de symbole Cu. Le corps simple cuivre est un métal. Le cuivre est un élément du groupe 11, de la , un élément du bloc d métal de transition chalcophile. Dans le tableau périodique des éléments, le cuivre est de la même famille que l'argent et l'or, parce que tous possèdent une orbitale s occupée par un seul électron sur des sous-couches p et d totalement remplies, ce qui permet la formation de liaisons métalliques (configuration électronique Ar 3d 4s).

Extraction du cuivre

La métallurgie extractive du cuivre est l’ensemble des opérations permettant la fabrication de cuivre métallique à partir du minerai, ou plus rarement à partir de déchets métallurgiques recyclés contenant du cuivre (plus de 30 % du cuivre consommé en 2005 est recyclé). La source la plus commune de minerai de cuivre est la chalcopyrite (CuFeS2) qui représente plus de 50 % de la production mais on le trouve également sous forme de sulfures dans la tétraédrite, la bornite et l'énargite et sous forme d'oxyde dans la cuprite et dans la malachite, l'azurite, la chalcocite.

Copper conductor

Copper has been used in electrical wiring since the invention of the electromagnet and the telegraph in the 1820s. The invention of the telephone in 1876 created further demand for copper wire as an electrical conductor. Copper is the electrical conductor in many categories of electrical wiring. Copper wire is used in power generation, power transmission, power distribution, telecommunications, electronics circuitry, and countless types of electrical equipment. Copper and its alloys are also used to make electrical contacts.

Afficher plus

Publications associées (30)

Afficher plus

Selective low-pressure chemical vapor deposition of copper and platinum

Chattez avec Graph Search

Sputtered aluminum nitride-on-insulator for scalable integrated photonics

Spin-on deposition of amorphous zeolitic imidazolate framework films for lithography applications

Vertically Stacked Boron Nitride/Graphene Heterostructure for Tunable Antiresonant Hollow-Core Fiber