Publication

Low-temperature plasma-deposited silicon epitaxial films: Growth and properties

Christophe Ballif, Stefaan De Wolf, Duncan Thomas Lindsay Alexander, Quentin Thomas Jeangros, Johannes Peter Seif, Bénédicte Demaurex
2014
Journal Articles

Résumé

Low-temperature (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4bbcbe61-8cee-4032-a81c-02e32ea7b030

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Christophe Ballif, Stefaan De Wolf, Duncan Thomas Lindsay Alexander, Quentin Thomas Jeangros, Johannes Peter Seif, Bénédicte Demaurex
2014
Journal Articles

Résumé

Low-temperature (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4bbcbe61-8cee-4032-a81c-02e32ea7b030

À propos de ce résultat

Concepts associés (23)

Crystalline silicon

Crystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.

Dépôt chimique en phase vapeur

vignette|Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré.

Silicium polycristallin

Le silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées, qui lui confèrent des propriétés différentes des deux autres formes.

Afficher plus

Publications associées (40)

Afficher plus

Low-temperature plasma-deposited silicon epitaxial films: Growth and properties

Graph Chatbot

Large Area Monolayer Graphene Transfer in Ultra-High Vacuum

2025 roadmap on 3D nanomagnetism

2D Molybdenum Disulfide Embedded Photonic Crystal Fiber for all‐Fiber Phase Retarder