Publication

Investigation of the Impact of Point Defects in InGaN/GaN Quantum Wells with High Dislocation Densities

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Duncan Thomas Lindsay Alexander, Danxuan Chen, Thomas Fjord Kjaersgaard Weatherley, Pierre Christophe Lottigier, Davide Maria Di Paola
2023
Journal Articles

Résumé

In this work, we report on the efficiency of single InGaN/GaN quantum wells (QWs) grown on thin (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/48654bf1-666b-4a99-8f95-05ccd296c2bd

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